Справочник MOSFET. MTEH0N25J3

 

MTEH0N25J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEH0N25J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTEH0N25J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEH0N25J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cystek
 mteh0n25j3.pdf pdf_icon

MTEH0N25J3

Spec. No. : C895J3 Issued Date : 2014.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.28 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTEH0N25J3 ID@VGS=10V 3.5AVGS=10V, ID=3A 720m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=2A 720m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circ

Другие MOSFET... MTED6N25J3 , MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 , IRF840 , MTEJ0P20J3 , MTEJ0P20L3 , MTF50P02J3 , MTN003N02Y3 , MTN003N03S3 , MTN0401LA3 , MTN0410L3 , MTN04N03F3 .

History: STI5N52U | IPB60R210CFD7 | BRCS040N02DP | SI2101 | FTK2333 | STU2240NL | CEP07N65A

 

 
Back to Top

 


 
.