MTEH0N25J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEH0N25J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTEH0N25J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEH0N25J3 даташит

 ..1. Size:392K  cystek
 mteh0n25j3.pdf pdf_icon

MTEH0N25J3

Spec. No. C895J3 Issued Date 2014.04.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.28 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTEH0N25J3 ID@VGS=10V 3.5A VGS=10V, ID=3A 720m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=2A 720m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circ

Другие IGBT... MTED6N25J3, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, IRF840, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, MTN003N03S3, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3