Справочник MOSFET. MTEH0N25J3

 

MTEH0N25J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTEH0N25J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTEH0N25J3

 

 

MTEH0N25J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cystek
 mteh0n25j3.pdf

MTEH0N25J3 MTEH0N25J3

Spec. No. : C895J3 Issued Date : 2014.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.28 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTEH0N25J3 ID@VGS=10V 3.5AVGS=10V, ID=3A 720m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=2A 720m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top