Справочник MOSFET. MTEH0N25J3

 

MTEH0N25J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEH0N25J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEH0N25J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cystek
 mteh0n25j3.pdf pdf_icon

MTEH0N25J3

Spec. No. : C895J3 Issued Date : 2014.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.28 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTEH0N25J3 ID@VGS=10V 3.5AVGS=10V, ID=3A 720m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=2A 720m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CED05N8 | AON6794 | IRLR024 | IRF8113G | KIA65R190 | BUZ84 | BL10N70-A

 

 
Back to Top

 


 
.