MTF50P02J3 Todos los transistores

 

MTF50P02J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTF50P02J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTF50P02J3 Datasheet (PDF)

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MTF50P02J3

Spec. No. : C784J3 Issued Date : 2011.04.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTF50P02J3 ID -10A58m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTF50P02J3 TO-252 GGate DDrain

Otros transistores... MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 , MTEH0N25J3 , MTEJ0P20J3 , MTEJ0P20L3 , IRF540N , MTN003N02Y3 , MTN003N03S3 , MTN0401LA3 , MTN0410L3 , MTN04N03F3 , MTN1012C3 , MTN1012ZC3 , MTN10N40E3 .

 

 
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