MTF50P02J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTF50P02J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTF50P02J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTF50P02J3 даташит

 ..1. Size:288K  cystek
 mtf50p02j3.pdf pdf_icon

MTF50P02J3

Spec. No. C784J3 Issued Date 2011.04.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20V MTF50P02J3 ID -10A 58m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTF50P02J3 TO-252 G Gate D Drain

Другие IGBT... MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, IRF540, MTN003N02Y3, MTN003N03S3, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3