MTF50P02J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTF50P02J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 102 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.051 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTF50P02J3
MTF50P02J3 Datasheet (PDF)
..1. Size:288K cystek
mtf50p02j3.pdf
mtf50p02j3.pdf
Spec. No. : C784J3 Issued Date : 2011.04.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTF50P02J3 ID -10A58m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTF50P02J3 TO-252 GGate DDrain
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: DMP3025LK3-13
