Справочник MOSFET. MTF50P02J3

 

MTF50P02J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTF50P02J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTF50P02J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  cystek
 mtf50p02j3.pdf pdf_icon

MTF50P02J3

Spec. No. : C784J3 Issued Date : 2011.04.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTF50P02J3 ID -10A58m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTF50P02J3 TO-252 GGate DDrain

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FRK250H | HLML6401 | BL7N70-D | HTD060N03 | CS13N50FA9D | AP70WN1K5P | AP85T03GH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.