Справочник MOSFET. MTF50P02J3

 

MTF50P02J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTF50P02J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTF50P02J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTF50P02J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  cystek
 mtf50p02j3.pdf pdf_icon

MTF50P02J3

Spec. No. : C784J3 Issued Date : 2011.04.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTF50P02J3 ID -10A58m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTF50P02J3 TO-252 GGate DDrain

Другие MOSFET... MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 , MTEH0N25J3 , MTEJ0P20J3 , MTEJ0P20L3 , IRF540N , MTN003N02Y3 , MTN003N03S3 , MTN0401LA3 , MTN0410L3 , MTN04N03F3 , MTN1012C3 , MTN1012ZC3 , MTN10N40E3 .

 

 
Back to Top

 


 
.