MTN003N02Y3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN003N02Y3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723

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MTN003N02Y3 Datasheet (PDF)

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mtn003n02y3.pdf

Spec. No. : C814Y3 Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2018.04.17 Page No. : 1/9 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN003N02Y3 ID 560mARDSON@VGS=4V, ID=300mA 290m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=300mA 440m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=300mA 845m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline ESD protected

6.1. Size:313K cystek
mtn003n03s3.pdf

Spec. No. : C567S3 Issued Date : 2012.07.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/9 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN003N03S3 ID 530mARDSON@VGS=4.5V, ID=300mA 0.44(typ) RDSON@VGS=4V, ID=300mA 0.48(typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=300mA 1(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free package

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Liste

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