MTN003N02Y3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN003N02Y3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: SOT-723

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MTN003N02Y3 datasheet

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MTN003N02Y3

Spec. No. C814Y3 Issued Date 2012.05.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.04.17 Page No. 1/9 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTN003N02Y3 ID 560mA RDSON@VGS=4V, ID=300mA 290m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=300mA 440m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=300mA 845m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline ESD protected

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MTN003N02Y3

Spec. No. C567S3 Issued Date 2012.07.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/9 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTN003N03S3 ID 530mA RDSON@VGS=4.5V, ID=300mA 0.44 (typ) RDSON@VGS=4V, ID=300mA 0.48 (typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=300mA 1 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free package

Otros transistores... MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, 50N06, MTN003N03S3, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3, MTN10N60E3