MTN003N02Y3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN003N02Y3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: SOT-723

Аналог (замена) для MTN003N02Y3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN003N02Y3 даташит

 ..1. Size:405K  cystek
 mtn003n02y3.pdf pdf_icon

MTN003N02Y3

Spec. No. C814Y3 Issued Date 2012.05.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.04.17 Page No. 1/9 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTN003N02Y3 ID 560mA RDSON@VGS=4V, ID=300mA 290m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=300mA 440m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=300mA 845m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline ESD protected

 6.1. Size:313K  cystek
 mtn003n03s3.pdf pdf_icon

MTN003N02Y3

Spec. No. C567S3 Issued Date 2012.07.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/9 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTN003N03S3 ID 530mA RDSON@VGS=4.5V, ID=300mA 0.44 (typ) RDSON@VGS=4V, ID=300mA 0.48 (typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=300mA 1 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free package

Другие IGBT... MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, 50N06, MTN003N03S3, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3, MTN10N60E3