MTN003N03S3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN003N03S3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.53 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.44 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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MTN003N03S3 datasheet

 ..1. Size:313K  cystek
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MTN003N03S3

Spec. No. C567S3 Issued Date 2012.07.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/9 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTN003N03S3 ID 530mA RDSON@VGS=4.5V, ID=300mA 0.44 (typ) RDSON@VGS=4V, ID=300mA 0.48 (typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=300mA 1 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free package

 6.1. Size:405K  cystek
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MTN003N03S3

Spec. No. C814Y3 Issued Date 2012.05.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.04.17 Page No. 1/9 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTN003N02Y3 ID 560mA RDSON@VGS=4V, ID=300mA 290m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=300mA 440m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=300mA 845m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline ESD protected

Otros transistores... MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, IRFP460, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3, MTN10N60E3, MTN10N60FP