Справочник MOSFET. MTN003N03S3

 

MTN003N03S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN003N03S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN003N03S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  cystek
 mtn003n03s3.pdf pdf_icon

MTN003N03S3

Spec. No. : C567S3 Issued Date : 2012.07.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/9 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN003N03S3 ID 530mARDSON@VGS=4.5V, ID=300mA 0.44(typ) RDSON@VGS=4V, ID=300mA 0.48(typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=300mA 1(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free package

 6.1. Size:405K  cystek
 mtn003n02y3.pdf pdf_icon

MTN003N03S3

Spec. No. : C814Y3 Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2018.04.17 Page No. : 1/9 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN003N02Y3 ID 560mARDSON@VGS=4V, ID=300mA 290m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=300mA 440m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=300mA 845m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline ESD protected

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.