MTN003N03S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN003N03S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для MTN003N03S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN003N03S3 даташит

 ..1. Size:313K  cystek
 mtn003n03s3.pdf pdf_icon

MTN003N03S3

Spec. No. C567S3 Issued Date 2012.07.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/9 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTN003N03S3 ID 530mA RDSON@VGS=4.5V, ID=300mA 0.44 (typ) RDSON@VGS=4V, ID=300mA 0.48 (typ) RDSON@VGS=2.5V, ID=300mA 1 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free package

 6.1. Size:405K  cystek
 mtn003n02y3.pdf pdf_icon

MTN003N03S3

Spec. No. C814Y3 Issued Date 2012.05.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.04.17 Page No. 1/9 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTN003N02Y3 ID 560mA RDSON@VGS=4V, ID=300mA 290m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=300mA 440m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=300mA 845m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline ESD protected

Другие IGBT... MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, IRFP460, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3, MTN10N60E3, MTN10N60FP