MTN0401LA3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN0401LA3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO-92

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MTN0401LA3 datasheet

 ..1. Size:166K  cystek
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MTN0401LA3

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MTN0401LA3

Spec. No. C792L3 Issued Date 2010.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100V MTN0410L3 ID 3A 280m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTN0410L3 SOT-223 D S D G Gate D Drain G

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MTN0401LA3

Spec. No. C807F3 Issued Date 2009.12.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25V ID 80A MTN04N03F3 RDSON 4m Features Low On-resistance Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-263 MTN04N03F3

Otros transistores... MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, MTN003N03S3, IRFZ44, MTN0410L3, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3, MTN10N60E3, MTN10N60FP, MTN10N65EA