MTN0401LA3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN0401LA3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.64 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: TO-92
Аналог (замена) для MTN0401LA3
MTN0401LA3 Datasheet (PDF)
mtn0401la3.pdf
Spec. No. : C403A3 Issued Date : 2006.07.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.08.14 Page No. : 1/6 N-CHANNEL MOSFET MTN0401LA3 Description The MTN0401LA3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel
mtn0410l3.pdf
Spec. No. : C792L3 Issued Date : 2010.07.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100VMTN0410L3 ID 3A280m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTN0410L3 SOT-223 D S D GGate DDrain G
mtn04n03f3.pdf
Spec. No. : C807F3 Issued Date : 2009.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VID 80AMTN04N03F3 RDSON 4m Features Low On-resistance Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-263 MTN04N03F3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
