MTN0410L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN0410L3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN0410L3
MTN0410L3 Datasheet (PDF)
mtn0410l3.pdf
Spec. No. : C792L3 Issued Date : 2010.07.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100VMTN0410L3 ID 3A280m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTN0410L3 SOT-223 D S D GGate DDrain G
mtn04n03f3.pdf
Spec. No. : C807F3 Issued Date : 2009.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VID 80AMTN04N03F3 RDSON 4m Features Low On-resistance Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-263 MTN04N03F3
mtn0401la3.pdf
Spec. No. : C403A3 Issued Date : 2006.07.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.08.14 Page No. : 1/6 N-CHANNEL MOSFET MTN0401LA3 Description The MTN0401LA3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel
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Liste
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