MTN0410L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN0410L3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MTN0410L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN0410L3 даташит

 ..1. Size:446K  cystek
 mtn0410l3.pdf pdf_icon

MTN0410L3

Spec. No. C792L3 Issued Date 2010.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100V MTN0410L3 ID 3A 280m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTN0410L3 SOT-223 D S D G Gate D Drain G

 9.1. Size:370K  cystek
 mtn04n03f3.pdf pdf_icon

MTN0410L3

Spec. No. C807F3 Issued Date 2009.12.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25V ID 80A MTN04N03F3 RDSON 4m Features Low On-resistance Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-263 MTN04N03F3

 9.2. Size:166K  cystek
 mtn0401la3.pdf pdf_icon

MTN0410L3

Другие IGBT... MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, MTN003N03S3, MTN0401LA3, IRF640, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3, MTN10N60E3, MTN10N60FP, MTN10N65EA, MTN10N65FP