MTN14N60FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN14N60FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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MTN14N60FP datasheet

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MTN14N60FP

Spec. No. C715FP Issued Date 2009.09.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.29 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 0.55 (max.) MTN14N60FP ID 14A Description The MTN14N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

Otros transistores... MTN12N60FP, MTN12N65FP, MTN1308E3, MTN1322S3, MTN138KS3, MTN138ZN3, MTN13N50E3, MTN13N50FP, 2SK3878, MTN15N50E3, MTN15N50F3, MTN15N50FP, MTN1634V8, MTN18N20FP, MTN1N60A3, MTN1N65I3, MTN2002ZS3