MTN14N60FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN14N60FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTN14N60FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN14N60FP даташит

 ..1. Size:338K  cystek
 mtn14n60fp.pdf pdf_icon

MTN14N60FP

Spec. No. C715FP Issued Date 2009.09.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.29 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 0.55 (max.) MTN14N60FP ID 14A Description The MTN14N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on

Другие IGBT... MTN12N60FP, MTN12N65FP, MTN1308E3, MTN1322S3, MTN138KS3, MTN138ZN3, MTN13N50E3, MTN13N50FP, 2SK3878, MTN15N50E3, MTN15N50F3, MTN15N50FP, MTN1634V8, MTN18N20FP, MTN1N60A3, MTN1N65I3, MTN2002ZS3