MTN1634V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN1634V8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 VQgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 297 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN1634V8
MTN1634V8 Datasheet (PDF)
mtn1634v8.pdf
Spec. No. : C910V8 Issued Date : 2013.04.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.21 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VMTN1634V8ID 60AVGS=10V, ID=20A 3.4m VGS=4.5V, ID=20A 3.7m RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=20A 4.6m VGS=1.5V, ID=10A 14.2m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast
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History: ATP301
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