MTN1634V8 Todos los transistores

 

MTN1634V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN1634V8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 46 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.6 V
   Carga de la puerta (Qg): 25 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 297 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

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MTN1634V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  cystek
mtn1634v8.pdf

MTN1634V8
MTN1634V8

Spec. No. : C910V8 Issued Date : 2013.04.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.21 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VMTN1634V8ID 60AVGS=10V, ID=20A 3.4m VGS=4.5V, ID=20A 3.7m RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=20A 4.6m VGS=1.5V, ID=10A 14.2m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast

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