MTN1634V8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN1634V8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTN1634V8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN1634V8 даташит

 ..1. Size:379K  cystek
 mtn1634v8.pdf pdf_icon

MTN1634V8

Spec. No. C910V8 Issued Date 2013.04.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.21 Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25V MTN1634V8 ID 60A VGS=10V, ID=20A 3.4m VGS=4.5V, ID=20A 3.7m RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=20A 4.6m VGS=1.5V, ID=10A 14.2m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast

Другие IGBT... MTN138KS3, MTN138ZN3, MTN13N50E3, MTN13N50FP, MTN14N60FP, MTN15N50E3, MTN15N50F3, MTN15N50FP, IRF4905, MTN18N20FP, MTN1N60A3, MTN1N65I3, MTN2002ZS3, MTN2002ZW3, MTN20N20F3, MTN20NF06J3, MTN22N20J3