MTN1634V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN1634V8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 297 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
MTN1634V8 Datasheet (PDF)
mtn1634v8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C910V8 Issued Date : 2013.04.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.21 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VMTN1634V8ID 60AVGS=10V, ID=20A 3.4m VGS=4.5V, ID=20A 3.7m RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=20A 4.6m VGS=1.5V, ID=10A 14.2m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .