MTN1634V8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN1634V8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTN1634V8 Datasheet (PDF)
mtn1634v8.pdf

Spec. No. : C910V8 Issued Date : 2013.04.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.21 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VMTN1634V8ID 60AVGS=10V, ID=20A 3.4m VGS=4.5V, ID=20A 3.7m RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=20A 4.6m VGS=1.5V, ID=10A 14.2m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPN50R650CE | FRE160R | CS20N50ANH | MTN2304N3 | IXTP20N65X | NCE30P40K | 4420
History: IPN50R650CE | FRE160R | CS20N50ANH | MTN2304N3 | IXTP20N65X | NCE30P40K | 4420



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor