MTN18N20FP Todos los transistores

 

MTN18N20FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN18N20FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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MTN18N20FP datasheet

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MTN18N20FP

Spec. No. C840FP Issued Date 2012.03.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V RDSON(TYP) 80m MTN18N20FP ID 18A Description The MTN18N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

Otros transistores... MTN138ZN3 , MTN13N50E3 , MTN13N50FP , MTN14N60FP , MTN15N50E3 , MTN15N50F3 , MTN15N50FP , MTN1634V8 , IRLB4132 , MTN1N60A3 , MTN1N65I3 , MTN2002ZS3 , MTN2002ZW3 , MTN20N20F3 , MTN20NF06J3 , MTN22N20J3 , MTN2300N3 .

 

 
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