MTN18N20FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN18N20FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

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MTN18N20FP Datasheet (PDF)

..1. Size:412K cystek
mtn18n20fp.pdf

Spec. No. : C840FP Issued Date : 2012.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 200V RDSON(TYP) : 80m MTN18N20FP ID : 18A Description The MTN18N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

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History: SN6F22NSFP

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: