MTN18N20FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN18N20FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 41 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 66 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 154 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

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MTN18N20FP Datasheet (PDF)

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mtn18n20fp.pdf

Spec. No. : C840FP Issued Date : 2012.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 200V RDSON(TYP) : 80m MTN18N20FP ID : 18A Description The MTN18N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

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Liste

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