MTN18N20FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN18N20FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de MTN18N20FP MOSFET
MTN18N20FP Datasheet (PDF)
mtn18n20fp.pdf

Spec. No. : C840FP Issued Date : 2012.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 200V RDSON(TYP) : 80m MTN18N20FP ID : 18A Description The MTN18N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a
Otros transistores... MTN138ZN3 , MTN13N50E3 , MTN13N50FP , MTN14N60FP , MTN15N50E3 , MTN15N50F3 , MTN15N50FP , MTN1634V8 , 5N60 , MTN1N60A3 , MTN1N65I3 , MTN2002ZS3 , MTN2002ZW3 , MTN20N20F3 , MTN20NF06J3 , MTN22N20J3 , MTN2300N3 .
History: IXTC13N50 | VBZE20P03 | NTH027N65S3F
History: IXTC13N50 | VBZE20P03 | NTH027N65S3F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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