MTN18N20FP Todos los transistores

 

MTN18N20FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN18N20FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 41 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 66 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 154 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.08 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220FP

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MTN18N20FP Datasheet (PDF)

1.1. mtn18n20fp.pdf Size:412K _cystek

MTN18N20FP
MTN18N20FP

Spec. No. : C840FP Issued Date : 2012.03.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS : 200V RDSON(TYP) : 80mΩ MTN18N20FP ID : 18A Description The MTN18N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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