MTN18N20FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN18N20FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTN18N20FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN18N20FP даташит

 ..1. Size:412K  cystek
 mtn18n20fp.pdf pdf_icon

MTN18N20FP

Spec. No. C840FP Issued Date 2012.03.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V RDSON(TYP) 80m MTN18N20FP ID 18A Description The MTN18N20FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

Другие IGBT... MTN138ZN3, MTN13N50E3, MTN13N50FP, MTN14N60FP, MTN15N50E3, MTN15N50F3, MTN15N50FP, MTN1634V8, IRLB4132, MTN1N60A3, MTN1N65I3, MTN2002ZS3, MTN2002ZW3, MTN20N20F3, MTN20NF06J3, MTN22N20J3, MTN2300N3