MTN22N20J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN22N20J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTN22N20J3 datasheet

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MTN22N20J3

Spec. No. C840J3 Issued Date 2012.07.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTN22N20J3 ID 22A 86m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93m VGS=4.5V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit

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