MTN22N20J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN22N20J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
Тип корпуса: TO-252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTN22N20J3 Datasheet (PDF)
mtn22n20j3.pdf

Spec. No. : C840J3 Issued Date : 2012.07.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTN22N20J3 ID 22A86m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93m VGS=4.5V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PSMN005-30K | HLML6401 | IPP60R120P7 | SPW11N60CFD | SQM120P06-07L | SM4132T9RL | AP85T03GH-HF
History: PSMN005-30K | HLML6401 | IPP60R120P7 | SPW11N60CFD | SQM120P06-07L | SM4132T9RL | AP85T03GH-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent