MTN22N20J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN22N20J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTN22N20J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN22N20J3 даташит

 ..1. Size:280K  cystek
 mtn22n20j3.pdf pdf_icon

MTN22N20J3

Spec. No. C840J3 Issued Date 2012.07.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTN22N20J3 ID 22A 86m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 93m VGS=4.5V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit

Другие IGBT... MTN1634V8, MTN18N20FP, MTN1N60A3, MTN1N65I3, MTN2002ZS3, MTN2002ZW3, MTN20N20F3, MTN20NF06J3, K4145, MTN2300N3, MTN2302N3, MTN2302V3, MTN2304M3, MTN2304N3, MTN2306AM3, MTN2306AN3, MTN2306N3