FSJ9260R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSJ9260R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
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FSJ9260R Datasheet (PDF)
fsj9260.pdf
FSJ9260D,FSJ9260R27A, -200V, 0.130 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 27A, -200V, rDS(ON) = 0.130 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-tions. Enhanced Power MOSFET immunity t
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Liste
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