FSJ9260R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSJ9260R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSJ9260R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ9260R даташит

 7.1. Size:54K  intersil
 fsj9260.pdf pdf_icon

FSJ9260R

FSJ9260D, FSJ9260R 27A, -200V, 0.130 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 27A, -200V, rDS(ON) = 0.130 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- tions. Enhanced Power MOSFET immunity t

Другие IGBT... FSJ160R, FSJ260D, FSJ260R, FSJ264D, FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R, FSJ9260D, IRFP260N, FSL110D, FSL110R, FSL130D, FSL130R, FSL13AOD, FSL13AOR, FSL230D, FSL230R