Справочник MOSFET. FSJ9260R

 

FSJ9260R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSJ9260R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для FSJ9260R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ9260R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:54K  intersil
 fsj9260.pdf pdf_icon

FSJ9260R

FSJ9260D,FSJ9260R27A, -200V, 0.130 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 27A, -200V, rDS(ON) = 0.130 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-tions. Enhanced Power MOSFET immunity t

Другие MOSFET... FSJ160R , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D , 10N60 , FSL110D , FSL110R , FSL130D , FSL130R , FSL13AOD , FSL13AOR , FSL230D , FSL230R .

History: SDD02N70 | STK3055E | BFL4004 | NTD18N06L | VS3622AA4 | JMPF7N65BJ

 

 
Back to Top

 


 
.