MTN2310M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN2310M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de MTN2310M3 MOSFET
MTN2310M3 Datasheet (PDF)
mtn2310m3.pdf

Spec. No. : C393M3 Issued Date : 2007.05.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2015.09.02 Page No. : 1/9 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTN2310M3 ID@VGS=10V, TA=25C 4.8A RDSON@VGS=10V, ID=4A 41m(typ) RDSON@VGS=5V, ID=3A 46m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating package Symbol Outline
mtn2310v8.pdf

Spec. No. : C393V8 Issued Date : 2013.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.06.24 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN2310V8ID 14A31m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 35m VGS=4.5V, ID=2A Description The MTN2310V8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s
mtn2310n3.pdf

Spec. No. : C393N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2007.11.26 Revised Date :2013.12.30 Page No. : 1/9 60V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTN2310N3 ID 4ARDSON@VGS=10V, ID=4A 41m(typ) RDSON@VGS=5V, ID=3A 46m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline MT
jmtn2310a.pdf

60V, 3A, 95.6m N-channel Power Trench MOSFETJMTN2310AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 3 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 85.0 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95.6 mWApplications Load Switch P
Otros transistores... MTN2302N3 , MTN2302V3 , MTN2304M3 , MTN2304N3 , MTN2306AM3 , MTN2306AN3 , MTN2306N3 , MTN2306ZN3 , IRFP450 , MTN2310N3 , MTN2310V8 , MTN2328M3 , MTN2328N3 , MTN2342N3 , MTN2510E3 , MTN2510F3 , MTN2510H8 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
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