MTN2310M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN2310M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для MTN2310M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2310M3 даташит

 ..1. Size:338K  cystek
 mtn2310m3.pdf pdf_icon

MTN2310M3

Spec. No. C393M3 Issued Date 2007.05.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2015.09.02 Page No. 1/9 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60V MTN2310M3 ID@VGS=10V, TA=25 C 4.8A RDSON@VGS=10V, ID=4A 41m (typ) RDSON@VGS=5V, ID=3A 46m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating package Symbol Outline

 7.1. Size:324K  cystek
 mtn2310v8.pdf pdf_icon

MTN2310M3

Spec. No. C393V8 Issued Date 2013.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.06.24 Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTN2310V8 ID 14A 31m VGS=10V, ID=3A RDSON(TYP) 35m VGS=4.5V, ID=2A Description The MTN2310V8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast s

 7.2. Size:311K  cystek
 mtn2310n3.pdf pdf_icon

MTN2310M3

Spec. No. C393N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2007.11.26 Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 60V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60V MTN2310N3 ID 4A RDSON@VGS=10V, ID=4A 41m (typ) RDSON@VGS=5V, ID=3A 46m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline MT

 7.3. Size:1231K  jiejie micro
 jmtn2310a.pdf pdf_icon

MTN2310M3

60V, 3A, 95.6m N-channel Power Trench MOSFET JMTN2310A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 3 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 85.0 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 95.6 mW Applications Load Switch P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN2302N3, MTN2302V3, MTN2304M3, MTN2304N3, MTN2306AM3, MTN2306AN3, MTN2306N3, MTN2306ZN3, NCEP15T14, MTN2310N3, MTN2310V8, MTN2328M3, MTN2328N3, MTN2342N3, MTN2510E3, MTN2510F3, MTN2510H8