MTN2510E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN2510E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 155 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 236 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTN2510E3 datasheet

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MTN2510E3

Spec. No. C433E3 Issued Date 2010.07.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.04.29 Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN2510E3 ID 50A 17m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=30A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package S

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MTN2510E3

Spec. No. C741E3 Issued Date 2012.03.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V ID 50A MTN2510LE3 RDS(ON) 30m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-220 MTN2510

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MTN2510E3

Spec. No. C741J3 Issued Date 2009.09.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN2510LJ3 ID 50A 19m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 20m VGS=5V, ID=20A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic P

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MTN2510E3

Spec. No. C741H8 Issued Date 2013.07.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.14 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN2510H8 ID 55A 17m VGS=10V, ID=30A RDSON(TYP) 21m VGS=6V, ID=20A Description The MTN2510H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching,

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