MTN2604G6 Todos los transistores

 

MTN2604G6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN2604G6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTN2604G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  cystek
 mtn2604g6.pdf pdf_icon

MTN2604G6

Spec. No. : C737G6 Issued Date : 2009.03.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.11.21 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTN2604G6 ID 7ARDSON@VGS=10V, ID=7A 19m(typ.)RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m(typ.)Description The MTN2604G6 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TA75333 | FSJ9260D | SML120B8 | FDS8333C | STP45NE06FP | RTL035N03FRA

 

 
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