MTN2604G6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN2604G6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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MTN2604G6 datasheet

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MTN2604G6

Spec. No. C737G6 Issued Date 2009.03.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.11.21 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTN2604G6 ID 7A RDSON@VGS=10V, ID=7A 19m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m (typ.) Description The MTN2604G6 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi

Otros transistores... MTN2510H8, MTN2510J3, MTN2510LE3, MTN2510LJ3, MTN2572F3, MTN2572FP, MTN2572H8, MTN2572J3, 18N50, MTN2N60FP, MTN2N60I3, MTN2N60J3, MTN2N65AI3, MTN2N65FP, MTN2N65I3, MTN2N65J3, MTN2N70FP