MTN2604G6 Todos los transistores

 

MTN2604G6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN2604G6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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MTN2604G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  cystek
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MTN2604G6

Spec. No. : C737G6 Issued Date : 2009.03.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.11.21 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTN2604G6 ID 7ARDSON@VGS=10V, ID=7A 19m(typ.)RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m(typ.)Description The MTN2604G6 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi

Otros transistores... MTN2510H8 , MTN2510J3 , MTN2510LE3 , MTN2510LJ3 , MTN2572F3 , MTN2572FP , MTN2572H8 , MTN2572J3 , RU6888R , MTN2N60FP , MTN2N60I3 , MTN2N60J3 , MTN2N65AI3 , MTN2N65FP , MTN2N65I3 , MTN2N65J3 , MTN2N70FP .

 

 
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