Справочник MOSFET. MTN2604G6

 

MTN2604G6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN2604G6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2604G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  cystek
 mtn2604g6.pdf pdf_icon

MTN2604G6

Spec. No. : C737G6 Issued Date : 2009.03.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.11.21 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTN2604G6 ID 7ARDSON@VGS=10V, ID=7A 19m(typ.)RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m(typ.)Description The MTN2604G6 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AON6794 | CED05N8 | IRLR024 | CEB10N65 | MTP12P08 | MC08N005C | BL10N70-A

 

 
Back to Top

 


 
.