Справочник MOSFET. MTN2604G6

 

MTN2604G6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTN2604G6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для MTN2604G6

 

 

MTN2604G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  cystek
 mtn2604g6.pdf

MTN2604G6 MTN2604G6

Spec. No. : C737G6 Issued Date : 2009.03.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.11.21 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTN2604G6 ID 7ARDSON@VGS=10V, ID=7A 19m(typ.)RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m(typ.)Description The MTN2604G6 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top