MTN2604G6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN2604G6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для MTN2604G6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2604G6 даташит

 ..1. Size:346K  cystek
 mtn2604g6.pdf pdf_icon

MTN2604G6

Spec. No. C737G6 Issued Date 2009.03.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.11.21 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTN2604G6 ID 7A RDSON@VGS=10V, ID=7A 19m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=5A 26m (typ.) Description The MTN2604G6 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchi

Другие IGBT... MTN2510H8, MTN2510J3, MTN2510LE3, MTN2510LJ3, MTN2572F3, MTN2572FP, MTN2572H8, MTN2572J3, 18N50, MTN2N60FP, MTN2N60I3, MTN2N60J3, MTN2N65AI3, MTN2N65FP, MTN2N65I3, MTN2N65J3, MTN2N70FP