FSL130R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSL130R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: TO205AF

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FSL130R datasheet

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FSL130R

FSL130D, FSL130R 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

 9.1. Size:45K  harris semi
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FSL130R

FSL13AOD, S E M I C O N D U C T O R FSL13AOR Radiation Hardened, SEGR Resistant February 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Description 9A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET

Otros transistores... FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R, FSJ9260D, FSJ9260R, FSL110D, FSL110R, FSL130D, 10N60, FSL13AOD, FSL13AOR, FSL230D, FSL230R, FSL234D, FSL234R, FSL23A4D, FSL23A4R