FSL130R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSL130R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для FSL130R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSL130R даташит

 8.1. Size:54K  intersil
 fsl130.pdf pdf_icon

FSL130R

FSL130D, FSL130R 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

 9.1. Size:45K  harris semi
 fsl13ao.pdf pdf_icon

FSL130R

FSL13AOD, S E M I C O N D U C T O R FSL13AOR Radiation Hardened, SEGR Resistant February 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Description 9A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET

Другие IGBT... FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R, FSJ9260D, FSJ9260R, FSL110D, FSL110R, FSL130D, 10N60, FSL13AOD, FSL13AOR, FSL230D, FSL230R, FSL234D, FSL234R, FSL23A4D, FSL23A4R