FSL13AOD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FSL13AOD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FSL13AOD

FSL13AOD Datasheet (PDF)

7.1. Size:45K harris semi
fsl13ao.pdf

FSL13AOD,S E M I C O N D U C T O RFSL13AORRadiation Hardened, SEGR ResistantFebruary 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 9A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military spaceapplications. Enhanced Power MOSFET

9.1. Size:54K intersil
fsl130.pdf

FSL130D, FSL130R8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

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Liste

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