FSL13AOD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSL13AOD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO205AF

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FSL13AOD datasheet

 7.1. Size:45K  harris semi
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FSL13AOD

FSL13AOD, S E M I C O N D U C T O R FSL13AOR Radiation Hardened, SEGR Resistant February 1998 N-Channel Power MOSFETs Features Description 9A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET

 9.1. Size:54K  intersil
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FSL13AOD

FSL130D, FSL130R 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

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