Справочник MOSFET. FSL13AOD

 

FSL13AOD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSL13AOD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO205AF
 

 Аналог (замена) для FSL13AOD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSL13AOD Datasheet (PDF)

 7.1. Size:45K  harris semi
 fsl13ao.pdf pdf_icon

FSL13AOD

FSL13AOD,S E M I C O N D U C T O RFSL13AORRadiation Hardened, SEGR ResistantFebruary 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 9A, 100V, rDS(ON) = 0.180 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military spaceapplications. Enhanced Power MOSFET

 9.1. Size:54K  intersil
 fsl130.pdf pdf_icon

FSL13AOD

FSL130D, FSL130R8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

Другие MOSFET... FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D , FSJ9260R , FSL110D , FSL110R , FSL130D , FSL130R , IRFB4110 , FSL13AOR , FSL230D , FSL230R , FSL234D , FSL234R , FSL23A4D , FSL23A4R , FSL23AOD .

 

 
Back to Top

 


 
.