MTN3607F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN3607F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 401 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN3607F3
MTN3607F3 Datasheet (PDF)
mtn3607f3.pdf
Spec. No. : C579F3 Issued Date : 2011.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 7.8 m(typ.)MTN3607F3 ID : 75A Description The MTN3607F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a
mtn3607e3.pdf
Spec. No. : C579E3 Issued Date : 2011.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.20 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 7.8 m(typ.)MTN3607E3 ID :75A Description The MTN3607E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
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History: ATP103 | SQM90142E | 19N10L-TN3-R
History: ATP103 | SQM90142E | 19N10L-TN3-R
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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