Справочник MOSFET. MTN3607F3

 

MTN3607F3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN3607F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для MTN3607F3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3607F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  cystek
 mtn3607f3.pdf pdf_icon

MTN3607F3

Spec. No. : C579F3 Issued Date : 2011.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 7.8 m(typ.)MTN3607F3 ID : 75A Description The MTN3607F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

 7.1. Size:323K  cystek
 mtn3607e3.pdf pdf_icon

MTN3607F3

Spec. No. : C579E3 Issued Date : 2011.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.20 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 7.8 m(typ.)MTN3607E3 ID :75A Description The MTN3607E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

Другие MOSFET... MTN3418S3 , MTN3434G6 , MTN3440N6 , MTN3484J3 , MTN3484V8 , MTN351AN3 , MTN35N03J3 , MTN3607E3 , IRF3205 , MTN3820F3 , MTN3820J3 , MTN3K01N3 , MTN3N60FP , MTN3N60I3 , MTN3N60J3 , MTN3N65FP , MTN40N03I3 .

History: FDFMJ2P023Z | VBM1303 | AP9576GM-HF | SSW65R090S2 | NCE80T900D | SI9424DY | AP60T03GJ

 

 
Back to Top

 


 
.