MTN3820F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN3820F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: TO-263

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MTN3820F3 datasheet

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MTN3820F3

Spec. No. C576F3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820F3 ID 26A 64m VGS=10V, ID=18A Features RDSON(TYP) Low Gate Charge 65m VGS=4V, ID=10A Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

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MTN3820F3

Spec. No. C576J3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820J3 ID 24A 64m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 65m VGS=4V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

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