Справочник MOSFET. MTN3820F3

 

MTN3820F3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN3820F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для MTN3820F3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3820F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  cystek
 mtn3820f3.pdf pdf_icon

MTN3820F3

Spec. No. : C576F3 Issued Date : 2011.11.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN3820F3 ID 26A64m VGS=10V, ID=18A Features RDSON(TYP) Low Gate Charge 65m VGS=4V, ID=10A Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

 7.1. Size:277K  cystek
 mtn3820j3.pdf pdf_icon

MTN3820F3

Spec. No. : C576J3 Issued Date : 2011.11.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN3820J3 ID 24A64m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 65m VGS=4V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

Другие MOSFET... MTN3434G6 , MTN3440N6 , MTN3484J3 , MTN3484V8 , MTN351AN3 , MTN35N03J3 , MTN3607E3 , MTN3607F3 , IRF740 , MTN3820J3 , MTN3K01N3 , MTN3N60FP , MTN3N60I3 , MTN3N60J3 , MTN3N65FP , MTN40N03I3 , MTN40N03J3 .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.