MTN3820F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN3820F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для MTN3820F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3820F3 даташит

 ..1. Size:335K  cystek
 mtn3820f3.pdf pdf_icon

MTN3820F3

Spec. No. C576F3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820F3 ID 26A 64m VGS=10V, ID=18A Features RDSON(TYP) Low Gate Charge 65m VGS=4V, ID=10A Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

 7.1. Size:277K  cystek
 mtn3820j3.pdf pdf_icon

MTN3820F3

Spec. No. C576J3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820J3 ID 24A 64m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 65m VGS=4V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

Другие IGBT... MTN3434G6, MTN3440N6, MTN3484J3, MTN3484V8, MTN351AN3, MTN35N03J3, MTN3607E3, MTN3607F3, IRF740, MTN3820J3, MTN3K01N3, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, MTN40N03J3