MTN3K01N3 Todos los transistores

 

MTN3K01N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN3K01N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MTN3K01N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  cystek
 mtn3k01n3.pdf pdf_icon

MTN3K01N3

Spec. No. : C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.07.04 Revised Date : 2013.06.26 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3K01N3 ID 3.2ARDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 83m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.5A 112m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Ou

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History: TPC8A05-H | AOUS66923 | FTK4N70F | AUIRFSL4227 | CEB93A3 | NP80N055MHE | IXFH10N80P

 

 
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