MTN3K01N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN3K01N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTN3K01N3 datasheet

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MTN3K01N3

Spec. No. C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2012.07.04 Revised Date 2013.06.26 Page No. 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTN3K01N3 ID 3.2A RDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 83m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.5A 112m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Ou

Otros transistores... MTN3484J3, MTN3484V8, MTN351AN3, MTN35N03J3, MTN3607E3, MTN3607F3, MTN3820F3, MTN3820J3, 20N60, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, MTN40N03J3, MTN4402Q8, MTN4410Q8