MTN3K01N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN3K01N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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MTN3K01N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:312K cystek
mtn3k01n3.pdf

Spec. No. : C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.07.04 Revised Date : 2013.06.26 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3K01N3 ID 3.2ARDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 83m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.5A 112m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Ou

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History: SP8006

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