Справочник MOSFET. MTN3K01N3

 

MTN3K01N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN3K01N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3K01N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  cystek
mtn3k01n3.pdfpdf_icon

MTN3K01N3

Spec. No. : C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.07.04 Revised Date : 2013.06.26 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3K01N3 ID 3.2ARDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 83m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.5A 112m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Ou

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQB7N10LTM | AO8806 | STK001SF | FDMC7570S | IPP65R045C7 | STF6N95K5 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.