MTN3K01N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN3K01N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для MTN3K01N3
MTN3K01N3 Datasheet (PDF)
mtn3k01n3.pdf

Spec. No. : C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.07.04 Revised Date : 2013.06.26 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3K01N3 ID 3.2ARDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 83m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.5A 112m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Ou
Другие MOSFET... MTN3484J3 , MTN3484V8 , MTN351AN3 , MTN35N03J3 , MTN3607E3 , MTN3607F3 , MTN3820F3 , MTN3820J3 , 20N60 , MTN3N60FP , MTN3N60I3 , MTN3N60J3 , MTN3N65FP , MTN40N03I3 , MTN40N03J3 , MTN4402Q8 , MTN4410Q8 .
History: LNTR4003NLT1G | SSM6P15FU | SWN7N65K2 | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | HGP059N08A | STW75N60M6
History: LNTR4003NLT1G | SSM6P15FU | SWN7N65K2 | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | HGP059N08A | STW75N60M6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet