MTN3K01N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN3K01N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTN3K01N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3K01N3 даташит

 ..1. Size:312K  cystek
 mtn3k01n3.pdf pdf_icon

MTN3K01N3

Spec. No. C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2012.07.04 Revised Date 2013.06.26 Page No. 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTN3K01N3 ID 3.2A RDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 83m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=2.5A 112m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Ou

Другие IGBT... MTN3484J3, MTN3484V8, MTN351AN3, MTN35N03J3, MTN3607E3, MTN3607F3, MTN3820F3, MTN3820J3, 20N60, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, MTN40N03J3, MTN4402Q8, MTN4410Q8