MTN40N03J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN40N03J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTN40N03J3 datasheet

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MTN40N03J3

Spec. No. C381J3 Issued Date 2007.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V ID 36A MTN40N03J3 RDSON 21m Features Dynamic dv/dt Rating Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-25

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MTN40N03J3

Spec. No. C745I3 Issued Date 2009.10.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V RDS(ON) 21m MTN40N03I3 ID 36A Description The MTN40N03I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos

Otros transistores... MTN3820F3, MTN3820J3, MTN3K01N3, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, IRF640, MTN4402Q8, MTN4410Q8, MTN4410V8, MTN4424Q8, MTN4800V8, MTN4N01Q8, MTN4N60AE3, MTN4N60AFP