MTN40N03J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN40N03J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN40N03J3

MTN40N03J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:388K cystek
mtn40n03j3.pdf

Spec. No. : C381J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VID 36AMTN40N03J3 RDSON 21m Features Dynamic dv/dt Rating Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-25

6.1. Size:374K cystek
mtn40n03i3.pdf

Spec. No. : C745I3 Issued Date : 2009.10.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 30V RDS(ON) : 21m MTN40N03I3 ID : 36A Description The MTN40N03I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos

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History: AUIRF3315S

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: