MTN40N03J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN40N03J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTN40N03J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN40N03J3 даташит

 ..1. Size:388K  cystek
 mtn40n03j3.pdf pdf_icon

MTN40N03J3

Spec. No. C381J3 Issued Date 2007.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V ID 36A MTN40N03J3 RDSON 21m Features Dynamic dv/dt Rating Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-25

 6.1. Size:374K  cystek
 mtn40n03i3.pdf pdf_icon

MTN40N03J3

Spec. No. C745I3 Issued Date 2009.10.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V RDS(ON) 21m MTN40N03I3 ID 36A Description The MTN40N03I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos

Другие IGBT... MTN3820F3, MTN3820J3, MTN3K01N3, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, IRF640, MTN4402Q8, MTN4410Q8, MTN4410V8, MTN4424Q8, MTN4800V8, MTN4N01Q8, MTN4N60AE3, MTN4N60AFP