MTN4800V8 Todos los transistores

 

MTN4800V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN4800V8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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MTN4800V8 Datasheet (PDF)

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MTN4800V8

Spec. No. : C737V8 Issued Date : 2011.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.13 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTN4800V8 ID 18AVGS=10V, ID=10A 14m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=8A 22m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline D

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDP2572 | FDS6682

 

 
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