MTN4800V8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN4800V8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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MTN4800V8 datasheet

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MTN4800V8

Spec. No. C737V8 Issued Date 2011.12.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.13 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTN4800V8 ID 18A VGS=10V, ID=10A 14m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=8A 22m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline D

Otros transistores... MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, MTN40N03J3, MTN4402Q8, MTN4410Q8, MTN4410V8, MTN4424Q8, IRFP260N, MTN4N01Q8, MTN4N60AE3, MTN4N60AFP, MTN4N60E3, MTN4N60FP, MTN4N60I3, MTN4N60J3, MTN4N65FP