MTN4800V8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTN4800V8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для MTN4800V8
MTN4800V8 Datasheet (PDF)
mtn4800v8.pdf
Spec. No. : C737V8 Issued Date : 2011.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.13 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTN4800V8 ID 18AVGS=10V, ID=10A 14m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=8A 22m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline D
Другие MOSFET... MTN3N60J3 , MTN3N65FP , MTN40N03I3 , MTN40N03J3 , MTN4402Q8 , MTN4410Q8 , MTN4410V8 , MTN4424Q8 , IRFP260N , MTN4N01Q8 , MTN4N60AE3 , MTN4N60AFP , MTN4N60E3 , MTN4N60FP , MTN4N60I3 , MTN4N60J3 , MTN4N65FP .
History: BL7N60A-A
History: BL7N60A-A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet


