MTN4800V8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN4800V8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTN4800V8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN4800V8 даташит

 ..1. Size:323K  cystek
 mtn4800v8.pdf pdf_icon

MTN4800V8

Spec. No. C737V8 Issued Date 2011.12.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.13 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTN4800V8 ID 18A VGS=10V, ID=10A 14m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=8A 22m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline D

Другие IGBT... MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, MTN40N03J3, MTN4402Q8, MTN4410Q8, MTN4410V8, MTN4424Q8, IRFP260N, MTN4N01Q8, MTN4N60AE3, MTN4N60AFP, MTN4N60E3, MTN4N60FP, MTN4N60I3, MTN4N60J3, MTN4N65FP