MTN50N06E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN50N06E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 364 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTN50N06E3 datasheet

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MTN50N06E3

Spec. No. C445E3 Issued Date 2009.05.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.02.26 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V RDSON(MAX) 22 m MTN50N06E3 ID 50A Description The MTN50N06E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Otros transistores... MTN4N60E3, MTN4N60FP, MTN4N60I3, MTN4N60J3, MTN4N65FP, MTN4N65I3, MTN4N65J3, MTN4N70I3, IRF630, MTN540J3, MTN5N50E3, MTN5N50FP, MTN5N50I3, MTN5N50J3, MTN5N60E3, MTN5N60FP, MTN5N60I3