Справочник MOSFET. MTN50N06E3

 

MTN50N06E3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTN50N06E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 364 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для MTN50N06E3

 

 

MTN50N06E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  cystek
 mtn50n06e3.pdf

MTN50N06E3 MTN50N06E3

Spec. No. : C445E3 Issued Date : 2009.05.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.02.26 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 60VRDSON(MAX) 22 m MTN50N06E3 ID 50ADescription The MTN50N06E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top