Справочник MOSFET. MTN50N06E3

 

MTN50N06E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN50N06E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 364 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTN50N06E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN50N06E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  cystek
 mtn50n06e3.pdf pdf_icon

MTN50N06E3

Spec. No. : C445E3 Issued Date : 2009.05.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.02.26 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 60VRDSON(MAX) 22 m MTN50N06E3 ID 50ADescription The MTN50N06E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Другие MOSFET... MTN4N60E3 , MTN4N60FP , MTN4N60I3 , MTN4N60J3 , MTN4N65FP , MTN4N65I3 , MTN4N65J3 , MTN4N70I3 , 7N65 , MTN540J3 , MTN5N50E3 , MTN5N50FP , MTN5N50I3 , MTN5N50J3 , MTN5N60E3 , MTN5N60FP , MTN5N60I3 .

History: 2N6961 | IXFR15N80Q

 

 
Back to Top

 


 
.