Справочник MOSFET. MTN50N06E3

 

MTN50N06E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN50N06E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 364 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTN50N06E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN50N06E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  cystek
 mtn50n06e3.pdf pdf_icon

MTN50N06E3

Spec. No. : C445E3 Issued Date : 2009.05.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.02.26 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 60VRDSON(MAX) 22 m MTN50N06E3 ID 50ADescription The MTN50N06E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTN6515F3 | STP55N06LFI

 

 
Back to Top

 


 
.