MTN60NF06LJ3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN60NF06LJ3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 67 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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MTN60NF06LJ3 Datasheet (PDF)

..1. Size:279K cystek
mtn60nf06lj3.pdf

Spec. No. : C577J3 Issued Date : 2012.01.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN60NF06LJ3 ID 60ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 10m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 12m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS comp

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: