MTN60NF06LJ3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN60NF06LJ3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTN60NF06LJ3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN60NF06LJ3 даташит

 ..1. Size:279K  cystek
 mtn60nf06lj3.pdf pdf_icon

MTN60NF06LJ3

Spec. No. C577J3 Issued Date 2012.01.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTN60NF06LJ3 ID 60A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 10m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 12m (typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS comp

Другие IGBT... MTN5N50FP, MTN5N50I3, MTN5N50J3, MTN5N60E3, MTN5N60FP, MTN5N60I3, MTN5N60J3, MTN5N65FP, IRFP260, MTN6515E3, MTN6515F3, MTN6515H8, MTN6515J3, MTN6680Q8, MTN6N65FP, MTN6N70FP, MTN7000A3