MTN60NF06LJ3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTN60NF06LJ3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTN60NF06LJ3
MTN60NF06LJ3 Datasheet (PDF)
mtn60nf06lj3.pdf
Spec. No. : C577J3 Issued Date : 2012.01.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN60NF06LJ3 ID 60ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 10m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 12m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS comp
Другие MOSFET... MTN5N50FP , MTN5N50I3 , MTN5N50J3 , MTN5N60E3 , MTN5N60FP , MTN5N60I3 , MTN5N60J3 , MTN5N65FP , IRFP260 , MTN6515E3 , MTN6515F3 , MTN6515H8 , MTN6515J3 , MTN6680Q8 , MTN6N65FP , MTN6N70FP , MTN7000A3 .
History: BUZ102S | STB190NF04-1 | 5HB03N8
History: BUZ102S | STB190NF04-1 | 5HB03N8
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992


