Справочник MOSFET. MTN60NF06LJ3

 

MTN60NF06LJ3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN60NF06LJ3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTN60NF06LJ3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN60NF06LJ3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  cystek
 mtn60nf06lj3.pdf pdf_icon

MTN60NF06LJ3

Spec. No. : C577J3 Issued Date : 2012.01.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN60NF06LJ3 ID 60ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 10m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 12m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS comp

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WML18N50D1B | FDD8874

 

 
Back to Top

 


 
.