Справочник MOSFET. MTN60NF06LJ3

 

MTN60NF06LJ3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN60NF06LJ3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN60NF06LJ3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  cystek
 mtn60nf06lj3.pdf pdf_icon

MTN60NF06LJ3

Spec. No. : C577J3 Issued Date : 2012.01.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN60NF06LJ3 ID 60ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 10m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 12m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS comp

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FMR23N50ES | AP4P052H | SM6F02NSF | 2SK3514-01 | IXTM4N95 | SIR422DP | RW1A013ZP

 

 
Back to Top

 


 
.