MTN6515J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN6515J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTN6515J3 datasheet

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MTN6515J3

Spec. No. C739J3 Issued Date 2009.10.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.07 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN6515J3 ID 20A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 60m (typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 59m (typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 60m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead

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MTN6515J3

Spec. No. C739F3 Issued Date 2012.06.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTN6515F3 ID 20A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 66m (typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 64m (typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 66m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating pack

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MTN6515J3

Spec. No. C739E3 Issued Date 2009.10.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.18 Page No. 1/6 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN6515E3 ID 20A 65m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating Equivalent Circuit Outline TO-220 MTN6515E3 G Gate D Drain S S

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MTN6515J3

Spec. No. C739H8 Issued Date 2009.12.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.06.28 Page No. 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN6515H8 ID 20A RDSON(max) 65m Description The MTN6515H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

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