MTN6515J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN6515J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.059 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MTN6515J3 Datasheet (PDF)
mtn6515j3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C739J3 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.07.07 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515J3 ID 20ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 60m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 59m(typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 60m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead
mtn6515f3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C739F3 Issued Date : 2012.06.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN6515F3 ID 20ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 66m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 64m(typ) RDS(ON)@VGS=3V, ID=3A 66m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating pack
mtn6515e3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C739E3 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.18 Page No. : 1/6 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515E3 ID 20A65m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating Equivalent Circuit Outline TO-220 MTN6515E3GGate DDrain SS
mtn6515h8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C739H8 Issued Date : 2009.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.06.28 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN6515H8ID 20ARDSON(max) 65m Description The MTN6515H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .