MTN6680Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN6680Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTN6680Q8 Datasheet (PDF)

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mtn6680q8.pdf

Spec. No. : C383Q8 Issued Date : 2007.06.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.18 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN6680Q8 Description The MTN6680Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack

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