Справочник MOSFET. MTN6680Q8

 

MTN6680Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN6680Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTN6680Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN6680Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  cystek
 mtn6680q8.pdf pdf_icon

MTN6680Q8

Spec. No. : C383Q8 Issued Date : 2007.06.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.18 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN6680Q8 Description The MTN6680Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack

Другие MOSFET... MTN5N60I3 , MTN5N60J3 , MTN5N65FP , MTN60NF06LJ3 , MTN6515E3 , MTN6515F3 , MTN6515H8 , MTN6515J3 , TK10A60D , MTN6N65FP , MTN6N70FP , MTN7000A3 , MTN7000ZA3 , MTN7000ZHA3 , MTN7002N3 , MTN7002S3 , MTN7002ZAS3 .

History: PD551BA | AP2605GY

 

 
Back to Top

 


 
.