MTN6680Q8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTN6680Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTN6680Q8
MTN6680Q8 Datasheet (PDF)
mtn6680q8.pdf

Spec. No. : C383Q8 Issued Date : 2007.06.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.18 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN6680Q8 Description The MTN6680Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack
Другие MOSFET... MTN5N60I3 , MTN5N60J3 , MTN5N65FP , MTN60NF06LJ3 , MTN6515E3 , MTN6515F3 , MTN6515H8 , MTN6515J3 , TK10A60D , MTN6N65FP , MTN6N70FP , MTN7000A3 , MTN7000ZA3 , MTN7000ZHA3 , MTN7002N3 , MTN7002S3 , MTN7002ZAS3 .
History: AP18N20GS-HF | RJJ0315DPA | FDD3N50NZTM
History: AP18N20GS-HF | RJJ0315DPA | FDD3N50NZTM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet