MTN6680Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN6680Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16.8 nC
Время нарастания (tr): 7.3 ns
Выходная емкость (Cd): 285 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
MTN6680Q8 Datasheet (PDF)
..1. Size:410K cystek
mtn6680q8.pdf
mtn6680q8.pdf
Spec. No. : C383Q8 Issued Date : 2007.06.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.18 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN6680Q8 Description The MTN6680Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
