MTN6680Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN6680Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTN6680Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN6680Q8 даташит

 ..1. Size:410K  cystek
 mtn6680q8.pdf pdf_icon

MTN6680Q8

Spec. No. C383Q8 Issued Date 2007.06.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.18 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTN6680Q8 Description The MTN6680Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack

Другие IGBT... MTN5N60I3, MTN5N60J3, MTN5N65FP, MTN60NF06LJ3, MTN6515E3, MTN6515F3, MTN6515H8, MTN6515J3, 13N50, MTN6N65FP, MTN6N70FP, MTN7000A3, MTN7000ZA3, MTN7000ZHA3, MTN7002N3, MTN7002S3, MTN7002ZAS3