MTNN18N03Q8 Todos los transistores

 

MTNN18N03Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTNN18N03Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2(0.4) W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30(60) V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10(0.115) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116(9.3) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(3) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTNN18N03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  cystek
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MTNN18N03Q8

Spec. No. : C806Q8 Issued Date : 2009.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN18N03Q8 BVDSS 30V 60VID 10A 0.115ARDSON(MAX) 18m 5 Description The MTNN18N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos

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History: AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G

 

 
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