MTNN18N03Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTNN18N03Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2(0.4) W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30(60) V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10(0.115) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116(9.3) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(3) Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTNN18N03Q8 datasheet

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MTNN18N03Q8

Spec. No. C806Q8 Issued Date 2009.12.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN18N03Q8 BVDSS 30V 60V ID 10A 0.115A RDSON(MAX) 18m 5 Description The MTNN18N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos

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