MTNN18N03Q8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTNN18N03Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2(0.4) W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30(60) V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10(0.115) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116(9.3) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(3) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTNN18N03Q8
MTNN18N03Q8 Datasheet (PDF)
mtnn18n03q8.pdf
Spec. No. : C806Q8 Issued Date : 2009.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN18N03Q8 BVDSS 30V 60VID 10A 0.115ARDSON(MAX) 18m 5 Description The MTNN18N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos
Другие MOSFET... MTNK3N3 , MTNK3S3 , MTNK3W3 , MTNK3Y3 , MTNK5C3 , MTNK5N3 , MTNK5S3 , MTNK7S3 , IRLB3034 , MTNN20N03Q8 , MTNN8451KQ8 , MTNN8452KQ8 , MTNN8453KQ8 , MTP1013C3 , MTP1013S3 , MTP1067C6 , MTP1406J3 .
History: BLP04N08-BA | PR812BA33 | BLP03N08-BA | STSJ25NF3LL | BLS60R150F-W | 11NM70L-TMS2-T | PV555BA
History: BLP04N08-BA | PR812BA33 | BLP03N08-BA | STSJ25NF3LL | BLS60R150F-W | 11NM70L-TMS2-T | PV555BA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent


