MTNN18N03Q8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTNN18N03Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2(0.4) W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30(60) V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10(0.115) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116(9.3) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(3) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTNN18N03Q8
MTNN18N03Q8 Datasheet (PDF)
mtnn18n03q8.pdf

Spec. No. : C806Q8 Issued Date : 2009.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN18N03Q8 BVDSS 30V 60VID 10A 0.115ARDSON(MAX) 18m 5 Description The MTNN18N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos
Другие MOSFET... MTNK3N3 , MTNK3S3 , MTNK3W3 , MTNK3Y3 , MTNK5C3 , MTNK5N3 , MTNK5S3 , MTNK7S3 , EMB04N03H , MTNN20N03Q8 , MTNN8451KQ8 , MTNN8452KQ8 , MTNN8453KQ8 , MTP1013C3 , MTP1013S3 , MTP1067C6 , MTP1406J3 .
History: NCE40P06J | GSM2324A | DMP3036SFG
History: NCE40P06J | GSM2324A | DMP3036SFG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent