MTNN18N03Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTNN18N03Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2(0.4) W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30(60) V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10(0.115) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 116(9.3) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012(3) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTNN18N03Q8
MTNN18N03Q8 Datasheet (PDF)
..1. Size:685K cystek
mtnn18n03q8.pdf
mtnn18n03q8.pdf
Spec. No. : C806Q8 Issued Date : 2009.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN18N03Q8 BVDSS 30V 60VID 10A 0.115ARDSON(MAX) 18m 5 Description The MTNN18N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
