Справочник MOSFET. MTNN18N03Q8

 

MTNN18N03Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTNN18N03Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2(0.4) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30(60) V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10(0.115) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116(9.3) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(3) Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTNN18N03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  cystek
 mtnn18n03q8.pdf pdf_icon

MTNN18N03Q8

Spec. No. : C806Q8 Issued Date : 2009.12.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/9 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH 1 N-CH 2 MTNN18N03Q8 BVDSS 30V 60VID 10A 0.115ARDSON(MAX) 18m 5 Description The MTNN18N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cos

Другие MOSFET... MTNK3N3 , MTNK3S3 , MTNK3W3 , MTNK3Y3 , MTNK5C3 , MTNK5N3 , MTNK5S3 , MTNK7S3 , IRF520 , MTNN20N03Q8 , MTNN8451KQ8 , MTNN8452KQ8 , MTNN8453KQ8 , MTP1013C3 , MTP1013S3 , MTP1067C6 , MTP1406J3 .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.